CEP95P04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP95P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP95P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP95P04 даташит

 ..1. Size:400K  cet
 cep95p04 ceb95p04.pdf pdf_icon

CEP95P04

CEP95P04/CEB95P04 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -40V, -93A, RDS(ON) =8.4m @VGS = -10V. RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... CEP14P20, CEP15P15, CEP20P06, CEP20P10, CEP30P03, CEP35P10, CEP50P03, CEP6601, IRF3205, CES2301, CES2303, CES2305, CES2307, CES2307A, CES2309, CES2313, CES2313A