CET6861 Todos los transistores

 

CET6861 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET6861
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CET6861 datasheet

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CET6861

CET6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.5A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V. RDS(ON) = 170m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain

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History: TMP6N70 | US5U3

 

 
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