CEU11P20 Todos los transistores

 

CEU11P20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU11P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU11P20 datasheet

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 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CEU11P20

CED11P20/CEU11P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... CES2323 , CES2331 , CET4301 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , IRFB4115 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 .

 

 

 


 
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