CEU11P20 Todos los transistores

 

CEU11P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU11P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 74 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU11P20

 

CEU11P20 Datasheet (PDF)

1.1. ced11p20 ceu11p20.pdf Size:408K _cet

CEU11P20
CEU11P20

CED11P20/CEU11P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36? @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


CEU11P20
  CEU11P20
  CEU11P20
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM2306AE | GSM2306A | GSM2304S | GSM2304AS | GSM2304A | GSM2304 | GSM2303A | GSM2303 | GSM2302S | GSM2302AS | GSM2301S | GSM2301AS | GSM2301A | GSM2301 | GSM2014 |

 

 

 
Back to Top