CEU11P20 Todos los transistores

 

CEU11P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU11P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU11P20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU11P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CEU11P20

CED11P20/CEU11P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... CES2323 , CES2331 , CET4301 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , IRFP250N , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 .

 

 
Back to Top

 


 
.