CEU11P20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU11P20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU11P20
CEU11P20 Datasheet (PDF)
ced11p20 ceu11p20.pdf

CED11P20/CEU11P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие MOSFET... CES2323 , CES2331 , CET4301 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , IRFP250N , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor