CEU20P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEU20P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU20P06

CEU20P06 Datasheet (PDF)

..1. Size:428K cet
ced20p06 ceu20p06.pdf

CED20P06/CEU20P06P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -13A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 175m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE

8.1. Size:373K cet
ced20p10 ceu20p10.pdf

CED20P10/CEU20P10PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -16A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATING

9.1. Size:237K cet
ced20n02 ceu20n02.pdf

CED20N02/CEU20N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 18A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI

9.2. Size:808K cn vbsemi
ceu20n06.pdf

CEU20N06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: