CEU2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU2303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU2303 MOSFET
CEU2303 Datasheet (PDF)
ced2303 ceu2303.pdf

CED2303/CEU2303P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -9A, RDS(ON) = 200m @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)
Otros transistores... CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , STP75NF75 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , CEU6601 , CEU6861 .
History: ME2306AN | AP2301 | WMK023N08HGS | STD11NM50N | NCE65TF099F | SSG4530C | GWM13S65YRE
History: ME2306AN | AP2301 | WMK023N08HGS | STD11NM50N | NCE65TF099F | SSG4530C | GWM13S65YRE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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