CEU2303 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU2303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU2303 MOSFET
Principales características: CEU2303
ced2303 ceu2303.pdf
CED2303/CEU2303 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -9A, RDS(ON) = 200m @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)
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Liste
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