CEU30P10 Todos los transistores

 

CEU30P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU30P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 78 nC

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.076 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU30P10

 

CEU30P10 Datasheet (PDF)

1.1. ced30p10 ceu30p10.pdf Size:417K _cet

CEU30P10
CEU30P10

CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

5.1. ceu3060 ced3060.pdf Size:392K _cet

CEU30P10
CEU30P10

CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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