KMA3D6N20SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMA3D6N20SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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KMA3D6N20SA Datasheet (PDF)

..1. Size:55K kec
kma3d6n20sa.pdf

SEMICONDUCTOR KMA3D6N20SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingEtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheL B LDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30

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kma3d7p20sa.pdf

SEMICONDUCTOR KMA3D7P20SATECHNICAL DATAP-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for use as a load switch.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20VDSS=-20V, ID=-3.7AB 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXDrain to Source on-state Resistance23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20RDS(ON)=76m(Max.) @ VGS=-4.5V1G 1.90RDS(ON)=112m(Max.) @ VGS=-

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kma3d0n20sa.pdf

SEMICONDUCTOR KMA3D0N20SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingEtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheL B LDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30

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Liste

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