KMA6D5P20Q Todos los transistores

 

KMA6D5P20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMA6D5P20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

 Búsqueda de reemplazo de KMA6D5P20Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KMA6D5P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  kec
 kma6d5p20q.pdf pdf_icon

KMA6D5P20Q

SEMICONDUCTOR KMA6D5P20QTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5

Otros transistores... KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA , KMA5D8DP20Q , 7N60 , KMA7D0NP30Q , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB035N40DB , KMB050N60P .

History: FDMS4D0N12C

 

 
Back to Top

 


 
.