KMA6D5P20Q Todos los transistores

 

KMA6D5P20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMA6D5P20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

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KMA6D5P20Q Datasheet (PDF)

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KMA6D5P20Q

SEMICONDUCTOR KMA6D5P20QTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5

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History: WNM2016 | MTBA5C10AQ8 | NDT454P | IRFR214 | MTDA0P10FP | MTC8958G6 | MTB4D0N03ATV8

 

 
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