KMA6D5P20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMA6D5P20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8

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KMA6D5P20Q Datasheet (PDF)

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kma6d5p20q.pdf

SEMICONDUCTOR KMA6D5P20QTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: