KMA6D5P20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KMA6D5P20Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 35 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: FLP8
Аналог (замена) для KMA6D5P20Q
KMA6D5P20Q Datasheet (PDF)
..1. Size:416K kec
kma6d5p20q.pdf
kma6d5p20q.pdf
SEMICONDUCTOR KMA6D5P20QTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: CHM12P10NGP
