KMA6D5P20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KMA6D5P20Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: FLP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KMA6D5P20Q Datasheet (PDF)
kma6d5p20q.pdf

SEMICONDUCTOR KMA6D5P20QTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: F5001H | SJMN380R65CF | IXFH42N60P3 | 2N4338 | SI1402DH | WSR25N20 | FDS6681Z
History: F5001H | SJMN380R65CF | IXFH42N60P3 | 2N4338 | SI1402DH | WSR25N20 | FDS6681Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555