KMA6D5P20Q - описание и поиск аналогов

 

KMA6D5P20Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMA6D5P20Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KMA6D5P20Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA6D5P20Q даташит

 ..1. Size:416K  kec
 kma6d5p20q.pdf pdf_icon

KMA6D5P20Q

SEMICONDUCTOR KMA6D5P20Q TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description Battery Packs and Battery-powered portable equipment applications. It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. H T D P G L FEATURES VDSS=-20V, ID=-6.5A. A Drain-Source ON Resistance. DIM MILLIMETERS A _ RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5

Другие MOSFET... KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA , KMA5D8DP20Q , AO3407 , KMA7D0NP30Q , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB035N40DB , KMB050N60P .

History: KO3416 | STF11N52K3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.