KMC7D0CN20C Todos los transistores

 

KMC7D0CN20C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMC7D0CN20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KMC7D0CN20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  kec
 kmc7d0cn20c.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CTECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIt s mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=4.0VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=28m (Max.) @ VGS=2.5VA 1.2 MAX_A1 +0.10 0.05

 0.1. Size:60K  kec
 kmc7d0cn20ca.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CATECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIts mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain to Source On Resistance.: RDS(ON)=20.5m (Max.) @ VGS=4.5VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=21.0m (Max.) @ VGS=4.0VA 1.2 MAXA1 0.1

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUK9607-30B | 2N7079 | HY1920P | CES2305 | CS12N65F | HMS8N60 | AP2305AGN

 

 
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