KMC7D0CN20C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMC7D0CN20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

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KMC7D0CN20C Datasheet (PDF)

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kmc7d0cn20c.pdf

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CTECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIt s mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=4.0VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=28m (Max.) @ VGS=2.5VA 1.2 MAX_A1 +0.10 0.05

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kmc7d0cn20ca.pdf

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CATECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIts mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain to Source On Resistance.: RDS(ON)=20.5m (Max.) @ VGS=4.5VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=21.0m (Max.) @ VGS=4.0VA 1.2 MAXA1 0.1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: