Справочник MOSFET. KMC7D0CN20C

 

KMC7D0CN20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMC7D0CN20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для KMC7D0CN20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMC7D0CN20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  kec
 kmc7d0cn20c.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CTECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIt s mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=4.0VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=28m (Max.) @ VGS=2.5VA 1.2 MAX_A1 +0.10 0.05

 0.1. Size:60K  kec
 kmc7d0cn20ca.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CATECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIts mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain to Source On Resistance.: RDS(ON)=20.5m (Max.) @ VGS=4.5VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=21.0m (Max.) @ VGS=4.0VA 1.2 MAXA1 0.1

Другие MOSFET... KMB7D0DN40QA , KMB7D0N40QA , KMB7D0NP30Q , KMB7D0NP30QA , KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , IRF640 , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT .

History: ME80N08AF-G | WMB240P10HG4

 

 
Back to Top

 


 
.