Справочник MOSFET. KMC7D0CN20C

 

KMC7D0CN20C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMC7D0CN20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 11.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 234 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для KMC7D0CN20C

 

 

KMC7D0CN20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  kec
 kmc7d0cn20c.pdf

KMC7D0CN20C KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CTECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIt s mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=4.0VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=28m (Max.) @ VGS=2.5VA 1.2 MAX_A1 +0.10 0.05

 0.1. Size:60K  kec
 kmc7d0cn20ca.pdf

KMC7D0CN20C KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CATECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.CIts mainly suitable for Li-ion battery pack.D8 5AE1EFEATURES BA1VDSS=20V, ID=7A.1 4Low Drain to Source On Resistance.: RDS(ON)=20.5m (Max.) @ VGS=4.5VDIM MILLIMETERS: RDS(ON)=21.0m (Max.) @ VGS=4.0VA 1.2 MAXA1 0.1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top