KMC7D0CN20C - описание и поиск аналогов

 

KMC7D0CN20C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMC7D0CN20C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для KMC7D0CN20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMC7D0CN20C даташит

 ..1. Size:698K  kec
 kmc7d0cn20c.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20C TECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. C It s mainly suitable for Li-ion battery pack. D 8 5 A E1 E FEATURES B A1 VDSS=20V, ID=7A. 1 4 Low Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=4.0V DIM MILLIMETERS RDS(ON)=28m (Max.) @ VGS=2.5V A 1.2 MAX _ A1 + 0.10 0.05

 0.1. Size:60K  kec
 kmc7d0cn20ca.pdf pdf_icon

KMC7D0CN20C

SEMICONDUCTOR KMC7D0CN20CA TECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. C It s mainly suitable for Li-ion battery pack. D 8 5 A E1 E FEATURES B A1 VDSS=20V, ID=7A. 1 4 Low Drain to Source On Resistance. RDS(ON)=20.5m (Max.) @ VGS=4.5V DIM MILLIMETERS RDS(ON)=21.0m (Max.) @ VGS=4.0V A 1.2 MAX A1 0.1

Другие MOSFET... KMB7D0DN40QA , KMB7D0N40QA , KMB7D0NP30Q , KMB7D0NP30QA , KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , IRFP460 , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT .

History: KMD6D0DN30QA | AP40T03GH-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.