KTK919S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KTK919S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 3 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KTK919S

KTK919S Datasheet (PDF)

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ktk919s.pdf

KTK919SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORRF Switching for VCR TunerFEATURESEL B LLow loss at on state(Typ 1dB@1GHz)DIM MILLIMETERSWith built-in bias diode_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K0.00 ~ 0.10P PL0.55M 0.20 MINN 1.00+0.20/-0.1

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: