KTK919S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTK919S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 3 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de KTK919S MOSFET
KTK919S Datasheet (PDF)
ktk919s.pdf

KTK919SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORRF Switching for VCR TunerFEATURESEL B LLow loss at on state(Typ 1dB@1GHz)DIM MILLIMETERSWith built-in bias diode_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K0.00 ~ 0.10P PL0.55M 0.20 MINN 1.00+0.20/-0.1
Otros transistores... KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , 10N60 , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB .
History: IRF9393 | IRFR4104



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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