Справочник MOSFET. KTK919S

 

KTK919S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KTK919S
   Маркировка: M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 3 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KTK919S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK919S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  kec
 ktk919s.pdf pdf_icon

KTK919S

KTK919SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORRF Switching for VCR TunerFEATURESEL B LLow loss at on state(Typ 1dB@1GHz)DIM MILLIMETERSWith built-in bias diode_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K0.00 ~ 0.10P PL0.55M 0.20 MINN 1.00+0.20/-0.1

Другие MOSFET... KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , 10N60 , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB .

History: DH012N03F | FS18SM-9 | WMJ26N60F2

 

 
Back to Top

 


 
.