KTK919S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTK919S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 3 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для KTK919S
KTK919S Datasheet (PDF)
ktk919s.pdf

KTK919SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORRF Switching for VCR TunerFEATURESEL B LLow loss at on state(Typ 1dB@1GHz)DIM MILLIMETERSWith built-in bias diode_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K0.00 ~ 0.10P PL0.55M 0.20 MINN 1.00+0.20/-0.1
Другие MOSFET... KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , 10N60 , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB .
History: IPS70R900P7S | JCS12N65CT | SGSP363 | 2SK1446 | IPS80R1K4P7 | BLP012N08-T | NP160N055TUJ
History: IPS70R900P7S | JCS12N65CT | SGSP363 | 2SK1446 | IPS80R1K4P7 | BLP012N08-T | NP160N055TUJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855