KF13N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF13N50P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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KF13N50P datasheet
kf13n50p-f.pdf
KF13N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF13N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 500V, ID= 13A Dra
kf13n60n.pdf
KF13N60N SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast Q B N O K switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 power supplies. _
Otros transistores... KF10N60P , KF10N68F , KF11N50F , KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , 12N60 , KF16N50F , KF1N60D , KF1N60I , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L .
History: TMPF10N60A
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