KF13N50P - описание и поиск аналогов

 

KF13N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF13N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KF13N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF13N50P даташит

 0.1. Size:901K  kec
 kf13n50p-f.pdf pdf_icon

KF13N50P

KF13N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF13N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 500V, ID= 13A Dra

 9.1. Size:65K  kec
 kf13n60n.pdf pdf_icon

KF13N50P

KF13N60N SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast Q B N O K switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 power supplies. _

Другие MOSFET... KF10N60P , KF10N68F , KF11N50F , KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , 12N60 , KF16N50F , KF1N60D , KF1N60I , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.