KF1N60D Todos los transistores

 

KF1N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF1N60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: DPAK

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KF1N60D datasheet

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KF1N60D

KF1N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF1N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 power supplies.

 8.1. Size:876K  kec
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KF1N60D

KF1N60L SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description B D DIM MILLIMETERS This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast A 7.20 MAX switching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAX C 0.60 MAX avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode P D 2.50 MAX DEPTH 0.2 E 1.15 MAX

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