KF1N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF1N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF1N60D
KF1N60D Datasheet (PDF)
kf1n60d-i.pdf
KF1N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF1N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20power supplies.
kf1n60l.pdf
KF1N60LSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description B DDIM MILLIMETERSThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA 7.20 MAXswitching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAXC 0.60 MAXavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode PD 2.50 MAXDEPTH:0.2E 1.15 MAX
Otros transistores... KF11N50F , KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , MMIS60R580P , KF1N60I , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P , KF3N40D .
