KF1N60I Todos los transistores

 

KF1N60I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF1N60I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de KF1N60I MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KF1N60I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:917K  kec
 kf1n60d-i.pdf pdf_icon

KF1N60I

KF1N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF1N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20power supplies.

 8.2. Size:876K  kec
 kf1n60l.pdf pdf_icon

KF1N60I

KF1N60LSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description B DDIM MILLIMETERSThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA 7.20 MAXswitching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAXC 0.60 MAXavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode PD 2.50 MAXDEPTH:0.2E 1.15 MAX

Otros transistores... KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , KF1N60D , AON7506 , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P , KF3N40D , KF3N40I .

History: SQM110N06-04L | NCE1220SP | SFW1800N650C2 | IRLML2402TRPBF | IRF9130SMD

 

 
Back to Top

 


 
.