Справочник MOSFET. KF1N60I

 

KF1N60I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KF1N60I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для KF1N60I

 

 

KF1N60I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:917K  kec
 kf1n60d-i.pdf

KF1N60I KF1N60I

KF1N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF1N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20power supplies.

 8.2. Size:876K  kec
 kf1n60l.pdf

KF1N60I KF1N60I

KF1N60LSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description B DDIM MILLIMETERSThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA 7.20 MAXswitching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAXC 0.60 MAXavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode PD 2.50 MAXDEPTH:0.2E 1.15 MAX

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top