KF1N60I - описание и поиск аналогов

 

KF1N60I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF1N60I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для KF1N60I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF1N60I даташит

 8.1. Size:917K  kec
 kf1n60d-i.pdf pdf_icon

KF1N60I

KF1N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF1N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 power supplies.

 8.2. Size:876K  kec
 kf1n60l.pdf pdf_icon

KF1N60I

KF1N60L SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description B D DIM MILLIMETERS This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast A 7.20 MAX switching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAX C 0.60 MAX avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode P D 2.50 MAX DEPTH 0.2 E 1.15 MAX

Другие MOSFET... KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , KF1N60D , IRFB3607 , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P , KF3N40D , KF3N40I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.