FDP6670AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP6670AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP6670AL

FDP6670AL Datasheet (PDF)

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July 1998 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designed80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0065 @ VGS=10 V, specifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.0085 @ VGS= 4.5 V.converters using either synchronous or conventional Critical DC electrical parameters specif

..2. Size:156K fairchild semi
fdp6670al fdb6670al.pdf

May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect

Otros transistores... FDP4030L , FDP5680 , FDP5690 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , IRF840 , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: