Справочник MOSFET. FDP6670AL

 

FDP6670AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP6670AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP6670AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  fairchild semi
 fdp6670al.pdf pdf_icon

FDP6670AL

July 1998 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designed80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0065 @ VGS=10 V, specifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.0085 @ VGS= 4.5 V.converters using either synchronous or conventional Critical DC electrical parameters specif

 ..2. Size:156K  fairchild semi
 fdp6670al fdb6670al.pdf pdf_icon

FDP6670AL

May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect

Другие MOSFET... FDP4030L , FDP5680 , FDP5690 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , IRF540 , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P .

History: ME4565AD4-G | IRF5N3205 | SIA441DJ | JFHM50N50C | RJK0406JPE | P0425AD | APQ08SN50BE

 

 
Back to Top

 


 
.