FDP6670AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP6670AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP6670AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP6670AL даташит

 ..1. Size:388K  fairchild semi
 fdp6670al.pdf pdf_icon

FDP6670AL

July 1998 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET General Description Features This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0065 @ VGS=10 V, specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.0085 @ VGS= 4.5 V. converters using either synchronous or conventional Critical DC electrical parameters specif

 ..2. Size:156K  fairchild semi
 fdp6670al fdb6670al.pdf pdf_icon

FDP6670AL

May 2003 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC elect

Другие IGBT... FDP4030L, FDP5680, FDP5690, FDP6030BL, FDP6030L, FDP6035AL, FDP6035L, FDP603AL, IRF540N, FDP7030BL, FDP7030L, FDP7045L, FDP8030L, FDR4410, FDR4420A, FDR8305N, FDR8308P