FDP6670AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDP6670AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FDP6670AL
FDP6670AL Datasheet (PDF)
fdp6670al.pdf
July 1998 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designed80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0065 @ VGS=10 V, specifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.0085 @ VGS= 4.5 V.converters using either synchronous or conventional Critical DC electrical parameters specif
fdp6670al fdb6670al.pdf
May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect
Другие MOSFET... FDP4030L , FDP5680 , FDP5690 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , IRF540N , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P .
History: IPB180N04S3-02
History: IPB180N04S3-02
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet



