KF4N20LW Todos los transistores

 

KF4N20LW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF4N20LW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.89 Ohm

Encapsulados: SOT223

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KF4N20LW datasheet

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KF4N20LW

KF4N20LW SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 200V, ID= 1A Drain-Source ON

 7.1. Size:596K  kec
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KF4N20LW

KF4N20LD/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF4N20LD This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching m

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