KF5N65D Todos los transistores

 

KF5N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF5N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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KF5N65D Datasheet (PDF)

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KF5N65D

KF5N65D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20el

 8.1. Size:414K  kec
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KF5N65D

KF5N65P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateFDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forE _G A 9.9 + 0.2electronic ballast

 8.2. Size:480K  kec
 kf5n65i.pdf pdf_icon

KF5N65D

KF5N65D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20el

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