KF9N25P Todos los transistores

 

KF9N25P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF9N25P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

KF9N25P Datasheet (PDF)

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KF9N25P

KF9N25P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF9N25PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC ConvertersE DIM MILLIMETERSG_and switching mode power supplies. A 9.9 +

 8.1. Size:382K  kec
 kf9n25d.pdf pdf_icon

KF9N25P

KF9N25DSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20and switching mode power

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History: KDB2670 | VBZM80N04 | IRF7389PBF | KP980A | NVTFS5124PL | AP4407GS | IXTQ60N10T

 

 
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