KHB2D0N60F2 Todos los transistores

 

KHB2D0N60F2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KHB2D0N60F2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220IS
 

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KHB2D0N60F2 datasheet

 5.1. Size:89K  kec
 khb2d0n60p f f2.pdf pdf_icon

KHB2D0N60F2

KHB2D0N60P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB2D0N60P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode A 9.9 + 0.2 B B 15.95 MAX Q powe

Otros transistores... KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , P55NF06 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , KHB3D0N70P , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 .

History: NTZD3155CT2G | NCE40P05Y | RFH10N45 | BUZ44A

 

 
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