KHB2D0N60P Todos los transistores

 

KHB2D0N60P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KHB2D0N60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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KHB2D0N60P datasheet

 ..1. Size:89K  kec
 khb2d0n60p f f2.pdf pdf_icon

KHB2D0N60P

KHB2D0N60P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB2D0N60P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode A 9.9 + 0.2 B B 15.95 MAX Q powe

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History: NTMFS4835N | SPE4N65G | SMN03T80IS | 2SK1662 | MTP3N40 | IXFE48N50Q | WM03N86M2

 

 

 

 

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