KHB6D0N40F2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KHB6D0N40F2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 97 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220IS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KHB6D0N40F2
KHB6D0N40F2 Datasheet (PDF)
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khb6d0n40p f f2.pdf
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KHB6D0N40P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB6D0N40PAOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_A 9.9 + 0.2avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andBB 15.95 MAX
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