KHB6D0N40F2 - аналоги и даташиты транзистора

 

KHB6D0N40F2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KHB6D0N40F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KHB6D0N40F2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB6D0N40F2 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1266K  kec
 khb6d0n40p f f2.pdf pdf_icon

KHB6D0N40F2

KHB6D0N40P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB6D0N40PAOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_A 9.9 + 0.2avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andBB 15.95 MAX

Другие MOSFET... KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , KHB6D0N40F , TK10A60D , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 , KHB7D5N60F2 , KHB7D5N60P1 .

History: SGSP301 | HMS15N60A | IRF6810S | AP6P090M | VB1101M | NP180N04TUJ | DMC1030UFDB

 

 
Back to Top

 


 
.