KHB6D0N40F2 - описание и поиск аналогов

 

KHB6D0N40F2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KHB6D0N40F2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

Аналог (замена) для KHB6D0N40F2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB6D0N40F2 даташит

 5.1. Size:1266K  kec
 khb6d0n40p f f2.pdf pdf_icon

KHB6D0N40F2

KHB6D0N40P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB6D0N40P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and B B 15.95 MAX

Другие MOSFET... KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , KHB6D0N40F , 13N50 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 , KHB7D5N60F2 , KHB7D5N60P1 .

History: D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.