KHB8D8N25F Todos los transistores

 

KHB8D8N25F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KHB8D8N25F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220IS
 

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KHB8D8N25F Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1326K  kec
 khb8d8n25p f f2.pdf pdf_icon

KHB8D8N25F

KHB8D8N25P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB8D8N25PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Convertersand switching mode power supplies.FEATURES VDSS= 250V, ID= 8.8A

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History: 2300F | IRF840LCPBF | FTD02N70 | SFB347N100C2 | WMO11N80M3 | PSP06N40 | KP821A

 

 
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