KHB8D8N25F - описание и поиск аналогов

 

KHB8D8N25F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KHB8D8N25F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

Аналог (замена) для KHB8D8N25F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB8D8N25F даташит

 5.1. Size:1326K  kec
 khb8d8n25p f f2.pdf pdf_icon

KHB8D8N25F

KHB8D8N25P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB8D8N25P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 250V, ID= 8.8A

Другие MOSFET... KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 , KHB7D5N60F2 , KHB7D5N60P1 , NCEP15T14 , KHB8D8N25F2 , KHB8D8N25P , KHB9D0N50F1 , KHB9D0N50F2 , KHB9D0N50P1 , KHB9D0N90F1 , KHB9D0N90N1 , KHB9D0N90NA .

History: PNMT6N1 | 2SK1301 | DMP3030SN | AP05N50H-HF | AP9579GM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.