KHB8D8N25F2 Todos los transistores

 

KHB8D8N25F2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KHB8D8N25F2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220IS

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KHB8D8N25F2 datasheet

 5.1. Size:1326K  kec
 khb8d8n25p f f2.pdf pdf_icon

KHB8D8N25F2

KHB8D8N25P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB8D8N25P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 250V, ID= 8.8A

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History: NTD4808N | IRLR3110ZPBF | IRLR7821PBF

 

 

 

 

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