KU2311Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KU2311Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 694 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KU2311Q

KU2311Q Datasheet (PDF)

..1. Size:829K kec
ku2311q.pdf

SEMICONDUCTOR KU2311QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=17A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance

8.1. Size:900K kec
ku2311k.pdf

SEMICONDUCTOR KU2311KTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter.FEATURES VDSS=30V, ID=97A.Low Drain to Source On-state Resistance.: RDS(ON)=5.0m(Max.) @ VGS=10V: RDS(ON)

9.1. Size:830K kec
ku2310q.pdf

SEMICONDUCTOR KU2310QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=19A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance

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Liste

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