KMA5D2N30XA Todos los transistores

 

KMA5D2N30XA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMA5D2N30XA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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KMA5D2N30XA datasheet

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KMA5D2N30XA

SEMICONDUCTOR KMA5D2N30XA TECHNICAL DATA N-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=30V, ID=5.2A. Drain-S

 9.1. Size:750K  kec
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KMA5D2N30XA

SEMICONDUCTOR KMA5D8DP20Q TECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFET General Description Battery Packs and Battery-powered portable equipment applications. It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. H T D P G L FEATURES VDSS=-20V, ID=-5.8A. A Drain-Source ON Resistance. DIM MILLIMETERS RDS(ON)=36m (Max.) @ VGS=-4.

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