KTK951S Todos los transistores

 

KTK951S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTK951S

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SOT23

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KTK951S datasheet

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KTK951S

KTK951S SEMICONDUCTOR N CHANNEL JUNCTION FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR LOW FREQUENCY / HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ Low Gain Controlled Amplifier A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 High Transter Admittance C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 Q L 0.55 P P

Otros transistores... KU2311Q , KU2751K , KU390N10P , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , KMD4D5P30XA , IRFP064N , KTK921U , KHB011N40F1 , KHB011N40F2 , KHB011N40P1 , KHB019N20F1 , KHB019N20F2 , KHB019N20P1 , KHB1D0N60G .

History: 2SK4191LS | SI2301B | 2SK2223-01 | WMK100N07TS | WMK043N10HGS | BSS306N | 3N80L-TM3-T

 

 

 

 

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