KTK951S Todos los transistores

 

KTK951S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTK951S
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de KTK951S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KTK951S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  kec
 ktk951s.pdf pdf_icon

KTK951S

KTK951SSEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORLOW FREQUENCY /HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONEL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Low Gain Controlled Amplifier A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15High Transter AdmittanceC 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10QL 0.55P P

Otros transistores... KU2311Q , KU2751K , KU390N10P , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , KMD4D5P30XA , 5N50 , KTK921U , KHB011N40F1 , KHB011N40F2 , KHB011N40P1 , KHB019N20F1 , KHB019N20F2 , KHB019N20P1 , KHB1D0N60G .

 

 
Back to Top

 


 
.