KTK211 Todos los transistores

 

KTK211 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTK211

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 110 Ohm

Encapsulados: SOT23

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KTK211 datasheet

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KTK211

KTK211 SEMICONDUCTOR N CHANNEL JUNCTION FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 Low Noise Figure NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). B 1.30+0.20/-0.15 High Forward Transfer Admittance. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 yfs =9mS(Typ.) E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Ext

Otros transistores... KHB019N20F2 , KHB019N20P1 , KHB1D0N60G , KHB1D0N60I , KHB1D2N80D , KHB1D2N80I , KHB7D0N65F1 , KHB9D5N20F , IRF1404 , KTK596 , KTK597 , KTK597E , KTK597TV , KTK597V , KTK598TV , KTK598V , KTK697TV .

 

 

 

 

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