Справочник MOSFET. KTK211

 

KTK211 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KTK211
   Маркировка: K*
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.015 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 110 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для KTK211

 

 

KTK211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  kec
 ktk211.pdf

KTK211 KTK211

KTK211SEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORHIGH FREQUENCY APPLICATION.VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20Low Noise Figure : NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz).B 1.30+0.20/-0.15High Forward Transfer Admittance. C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05: |yfs| =9mS(Typ.)E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Ext

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top