SE2312 Todos los transistores

 

SE2312 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE2312

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0318 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SE2312 datasheet

 ..1. Size:426K  willas
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SE2312

FM120-M WILLAS THRU SE2312 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produc Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimiz

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History: STM6718 | SE3401 | AP15TN1R5N | FDS6673BZF085 | FDS6676AS | FDS6982AS

 

 

 

 

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