H01N60I Todos los transistores

 

H01N60I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H01N60I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

H01N60I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:162K  hsmc
 h01n60s.pdf pdf_icon

H01N60I

Spec. No. : MOS200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.01.01 Revised Date : 2010.11.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H01N60S Series Pin Assignment H01N60S Series 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code: A Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: SourceDescription 3 1 2 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 8.2. Size:58K  hsmc
 h01n60.pdf pdf_icon

H01N60I

Spec. No. : MOS200502HI-SINCERITYIssued Date : 2005.03.01Revised Date : 2006.08.31MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H01N60 Series Pin AssignmentH01N60 SeriesN-Channel Power Field Effect TransistorTab3-Lead Plastic TO-252Package Code: JPin 1: Gate3Pin 2 & Tab: Drain2Description 1Pin 3: SourceThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme topr

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 40822 | AOK160A60FDL | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | 24NM60G-TQ2-T | SGSP341

 

 
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