H01N60I Todos los transistores

 

H01N60I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H01N60I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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H01N60I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:162K  hsmc
 h01n60s.pdf pdf_icon

H01N60I

Spec. No. : MOS200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.01.01 Revised Date : 2010.11.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H01N60S Series Pin Assignment H01N60S Series 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code: A Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: SourceDescription 3 1 2 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 8.2. Size:58K  hsmc
 h01n60.pdf pdf_icon

H01N60I

Spec. No. : MOS200502HI-SINCERITYIssued Date : 2005.03.01Revised Date : 2006.08.31MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H01N60 Series Pin AssignmentH01N60 SeriesN-Channel Power Field Effect TransistorTab3-Lead Plastic TO-252Package Code: JPin 1: Gate3Pin 2 & Tab: Drain2Description 1Pin 3: SourceThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme topr

Otros transistores... SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , 13N50 , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J , H02N60SE .

History: TIS75 | FDMS86520 | BRM501D | FPF1C2P5BF07A | PN5434 | G2005K | BRI6N70

 

 
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