H05N60F Todos los transistores

 

H05N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H05N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO220FP

 Búsqueda de reemplazo de H05N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

H05N60F datasheet

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60F

Spec. No. MOS200603 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H05N60 Series Pin Assignment H05N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 2 1

Otros transistores... H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , IRFB31N20D , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F .

History: UM6K34N | SVT068R5NSTR | 2SK312 | MTP20N15EG | SI2318DS-T1-GE3 | STH410N4F7-2AG | H05N60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.