H05N60F Todos los transistores

 

H05N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H05N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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H05N60F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60F

Spec. No. : MOS200603HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H05N60 Series Pin AssignmentH05N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 21

Otros transistores... H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , IRF730 , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F .

History: NCE80T560F | ME45N03T-G | IPD70R600P7S | SI4466DY | IRFZ48NLPBF | SSM3K04FE | 2SK953

 

 
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