Справочник MOSFET. H05N60F

 

H05N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H05N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N60F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60F

Spec. No. : MOS200603HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H05N60 Series Pin AssignmentH05N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 21

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF615 | BUZ84 | STL7N10F7 | TK12P60W | DMG2301LK | IRF1405ZS-7PPBF | NVTR4503N

 

 
Back to Top

 


 
.