H05N60F - аналоги и даташиты транзистора

 

H05N60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H05N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для H05N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N60F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60F

Spec. No. : MOS200603HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H05N60 Series Pin AssignmentH05N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 21

Другие MOSFET... H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , IRFB31N20D , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F .

History: BSZ110N06NS3G | AP97T07AGP | AP9922GEO | BUZ72 | SUM18N25-165 | BUZ61A

 

 
Back to Top

 


 
.