H05N60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: H05N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для H05N60F
H05N60F Datasheet (PDF)
h05n60.pdf

Spec. No. : MOS200603HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H05N60 Series Pin AssignmentH05N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 21
Другие MOSFET... H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , IRF730 , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F .
History: IPB80N06S2-07 | FDB9403-F085 | VB162KX | OSG70R350KF | IPB80N06S2L-09
History: IPB80N06S2-07 | FDB9403-F085 | VB162KX | OSG70R350KF | IPB80N06S2L-09



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04