H07N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H07N65E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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H07N65E Datasheet (PDF)
h07n65.pdf
Spec. No. : MOS200801 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.07.22 Revised Date : 2009.0514 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H07N65 Series Pin Assignment H07N65 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: SourceThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme
wml07n65c2 wmh07n65c2 wmm07n65c2 wmo07n65c2 wmp07n65c2 wmg07n65c2.pdf
WML0 MM07N65C07N65C2, WMH07N65C2, WM C2 WMO0 MG07N65C07N65C2, WMP07N65C2, WM C2 650 Junction ET0V 1.0 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce. TO-220F TO TO-25
h07n60.pdf
Spec. No. : MOS200604 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.02.01 Revised Date : 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H07N60 Series Pin Assignment H07N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: SourceThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schem
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Liste
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