H10N65E Todos los transistores

 

H10N65E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H10N65E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H10N65E datasheet

 8.1. Size:170K  hsmc
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H10N65E

Spec. No. MOS200906 HI-SINCERITY Issued Date 2009.03.23 Revised Date 2009.08.05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H10N65 Series H10N65 Series Tab 3-Lead Plastic TO-220AB N-Channel Power MOSFET (650V,10A) Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Applications Pin 3 Source 3 2 Switch Mode Power Supply 1 3-Lead TO-220FP) Uninterruptable P

 8.2. Size:405K  cn haohai electr
h10n65p h10n65f.pdf pdf_icon

H10N65E

10N65 Series N-Channel MOSFET 9.5A, 650V, N H FQP10N65C H10N65P P TO-220AB HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs 10N65 FQPF10N65C H10N65F F TO-220FP 10N65 Series Pin Assignment Features ID=9.5A Originativ

 9.1. Size:273K  samsung
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H10N65E

CO-PAK IGBT SGH10N60RUFD FEATURES TO-3P * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V @ Ic=10A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 42nS (Typ) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.2. Size:923K  samsung
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H10N65E

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 25 (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 0.646 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Otros transistores... H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F , IRFB7545 , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N .

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