H2N7002SN Todos los transistores

 

H2N7002SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H2N7002SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT323

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H2N7002SN datasheet

 ..1. Size:114K  hsmc
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H2N7002SN

Spec. No. MOS200605 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002SN Pin Assignment & Symbol H2N7002SN 3 3-Lead Plastic SOT-323 Package Code SN N-Channel MOSFET (60V, 0.2A) Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 D Description G N-channel enhancement-mode MOS transistor. S Absolute Maximum Ratings Drain-Source Vol

 7.1. Size:156K  hsmc
h2n7002ksn.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.18 Revised Date 2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 3 3-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code SN Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain N-CHANNEL TRANSISTOR 2 1 Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 7.2. Size:136K  hsmc
h2n7002k.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date 2005.03.13 Revised Date 2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage .........................................................................................................

 7.3. Size:129K  hsmc
h2n7002.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date 2005.04.01 Revised Date 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ................................................................................................................

Otros transistores... H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , IRF3205 , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J .

 

 

 


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