H2N7002SN - описание и поиск аналогов

 

H2N7002SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N7002SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для H2N7002SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2N7002SN даташит

 ..1. Size:114K  hsmc
 h2n7002sn.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200605 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002SN Pin Assignment & Symbol H2N7002SN 3 3-Lead Plastic SOT-323 Package Code SN N-Channel MOSFET (60V, 0.2A) Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 D Description G N-channel enhancement-mode MOS transistor. S Absolute Maximum Ratings Drain-Source Vol

 7.1. Size:156K  hsmc
 h2n7002ksn.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.18 Revised Date 2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 3 3-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code SN Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain N-CHANNEL TRANSISTOR 2 1 Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 7.2. Size:136K  hsmc
 h2n7002k.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date 2005.03.13 Revised Date 2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage .........................................................................................................

 7.3. Size:129K  hsmc
 h2n7002.pdf pdf_icon

H2N7002SN

Spec. No. MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date 2005.04.01 Revised Date 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ................................................................................................................

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , IRF3205 , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.