H3055MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H3055MJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H3055MJ

H3055MJ Datasheet (PDF)

..1. Size:44K hsmc
h3055mj.pdf

Spec. No. : MOS200702 HI-SINCERITY Issued Date : 2007.03.01 Revised Date : 2007.03.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H3055MJ Pin Assignment H3055MJ Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code: J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 12A) Pin 1: Gate 3 Pin 2 & Tab: Drain 2 1Pin 3: SourceDDescription Internal Schematic Diagram This N-Channel 2.5V spe

9.1. Size:50K fairchild semi
ksh3055.pdf

KSH3055General Purpose AmplifierLow Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, -I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular KSE3055T1.Base 2.Collector 3.Emitter DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product: fT = 2

9.2. Size:24K samsung
ksh3055.pdf

KSH3055 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE AMPLIFIERD-PAKLOW SPEED SWITCHING APPLICATONSD-PACK FOR SURFACE MOUNTAPPLICATIONS Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)1 Straight Lead (I. PACK, -I Suffix) Electrically Similar to Popular KSE3055 DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product :1. Base 2

9.3. Size:42K hsmc
h3055lj.pdf

Spec. No. : MOS200606HI-SINCERITYIssued Date : 2006.03.01Revised Date : 2006.05.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4 H3055LJ Pin AssignmentH3055LJTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 13A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDDescriptionInternal SchematicDiagramThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is a

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Liste

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