Справочник MOSFET. H3055MJ

 

H3055MJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H3055MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для H3055MJ

 

 

H3055MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  hsmc
 h3055mj.pdf

H3055MJ H3055MJ

Spec. No. : MOS200702 HI-SINCERITY Issued Date : 2007.03.01 Revised Date : 2007.03.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H3055MJ Pin Assignment H3055MJ Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code: J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 12A) Pin 1: Gate 3 Pin 2 & Tab: Drain 2 1Pin 3: SourceDDescription Internal Schematic Diagram This N-Channel 2.5V spe

 9.1. Size:50K  fairchild semi
 ksh3055.pdf

H3055MJ H3055MJ

KSH3055General Purpose AmplifierLow Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, -I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular KSE3055T1.Base 2.Collector 3.Emitter DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product: fT = 2

 9.2. Size:24K  samsung
 ksh3055.pdf

H3055MJ H3055MJ

KSH3055 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE AMPLIFIERD-PAKLOW SPEED SWITCHING APPLICATONSD-PACK FOR SURFACE MOUNTAPPLICATIONS Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)1 Straight Lead (I. PACK, -I Suffix) Electrically Similar to Popular KSE3055 DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product :1. Base 2

 9.3. Size:42K  hsmc
 h3055lj.pdf

H3055MJ H3055MJ

Spec. No. : MOS200606HI-SINCERITYIssued Date : 2006.03.01Revised Date : 2006.05.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4 H3055LJ Pin AssignmentH3055LJTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 13A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDDescriptionInternal SchematicDiagramThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top