H4946DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H4946DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: DIP8
Búsqueda de reemplazo de H4946DS MOSFET
H4946DS Datasheet (PDF)
h4946s.pdf

Spec. No. : MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 8-Lead Plastic DIP-8H4946 Series Package Code: P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)
Otros transistores... H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , 50N06 , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S .
History: NP48N055ELE | WMO9N50D1B | IPA030N10N3 | ME2301GC-G | WMM13N70EM | TMP7N65H | IRF7456
History: NP48N055ELE | WMO9N50D1B | IPA030N10N3 | ME2301GC-G | WMM13N70EM | TMP7N65H | IRF7456



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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