H4946DS Todos los transistores

 

H4946DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H4946DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP8
 

 Búsqueda de reemplazo de H4946DS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

H4946DS Datasheet (PDF)

 9.1. Size:230K  hsmc
 h4946s.pdf pdf_icon

H4946DS

Spec. No. : MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 8-Lead Plastic DIP-8H4946 Series Package Code: P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)

Otros transistores... H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , 50N06 , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S .

History: P0850ATF | QM3009K | STF11NM65N | RQA0005AQS | DMP2088LCP3 | AP65SL190AIN | IRFZ46NLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.