H4946DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H4946DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Encapsulados: DIP8
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H4946DS datasheet
h4946s.pdf
Spec. No. MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.12 Revised Date 2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 8-Lead Plastic DIP-8 H4946 Series Package Code P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)
Otros transistores... H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , 50N06 , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S .
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