Справочник MOSFET. H4946DS

 

H4946DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4946DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: DIP8
 

 Аналог (замена) для H4946DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4946DS Datasheet (PDF)

 9.1. Size:230K  hsmc
 h4946s.pdf pdf_icon

H4946DS

Spec. No. : MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 8-Lead Plastic DIP-8H4946 Series Package Code: P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)

Другие MOSFET... H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , 50N06 , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S .

History: MDV1595SURH | FQN1N50CTA | VBA3695 | CP650 | AM2373P | AM8N25-550D | VS3625GPMC

 

 
Back to Top

 


 
.