H4946S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H4946S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de H4946S MOSFET
H4946S Datasheet (PDF)
h4946s.pdf
Spec. No. : MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 8-Lead Plastic DIP-8H4946 Series Package Code: P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)
Otros transistores... H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , IRFP460 , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS .
History: H35N03J | ELM33400CA | 2SK4199LS | 5LP01SP | IPI037N08N3 | BSZ060NE2LS | JMSH1002BC
History: H35N03J | ELM33400CA | 2SK4199LS | 5LP01SP | IPI037N08N3 | BSZ060NE2LS | JMSH1002BC
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945

