H4946S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H4946S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
Тип корпуса: SO8
H4946S Datasheet (PDF)
h4946s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : MOS200808 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,03,05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 8-Lead Plastic DIP-8H4946 Series Package Code: P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET (60V, 5A) 8 Features 7 6 5 8-Lead Plastic SO-8 RDS(on)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .